Partner: J. Kossut

Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)

Recent publications
1.Roszkiewicz A., Wojciechowski T., Nasalski W., Kossut J., Raport z formowania struktury soczewki Fresnela i pomiarów jej własności ogniskujących, IPPT Reports on Fundamental Technological Research, ISSN: 2299-3657, Vol.1, pp.1-15, 2020
Abstract:

Raport zawiera graficzny zestaw wyników prac prowadzonych w okresie październik 2019 - marzec 2020 w ramach współpracy pomiędzy IPPT PAN i IF PAN. Prace prowadzone w IF PAN dotyczyły nałożenia warstwy złota na płytkę kwarcu i grawerowania w tej warstwie struktury jednowymiarowej soczewki Fresnela. Prace prowadzone w IPPT PAN dotyczyły wyznaczania parametrów geometrycznych wygrawerowanej struktury i charakterystyk jej oddziaływania z padającym polem optycznym. Prace eksperymentalne obu zespołów badawczych pozwoliły na precyzyjne sformowanie jednowymiarowej struktury ogniskującej typu płytki strefowej Fresnela (Fresnel Zone Plate - FZP) o właściwościach zgodnych z wynikami symulacji numerycznych.

Affiliations:
Roszkiewicz A.-IPPT PAN
Wojciechowski T.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Nasalski W.-IPPT PAN
Kossut J.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
2.Wojnar P., Zieliński M., Janik E., Zaleszczyk W., Wojciechowski T., Wojnar R., Szymura M., Kłopotowski Ł., Baczewski L.T., Pietruchik A., Wiater M., Kret S., Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J., Strain-induced energy gap variation in ZnTe/ZnMgTe core/shell nanowires, APPLIED PHYSICS LETTERS, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.4873355, Vol.104, pp.163111-1-5, 2014
Abstract:

Strain-induced changes of ZnTe energy gap in ZnTe/ZnMgTe core/shell nanowires arising from lattice mismatch between the core and the shell semiconductor are studied by means of optical methods. It is shown that the increase of the Mg content in the shell, as well as the increase of the shell thickness result in an effective redshift of the near band edge photoluminescence from ZnTe nanowire cores, which reflects directly the decrease of energy gap under tensile strain conditions. The conclusions are supported by theoretical calculations in terms of the valence force field model. The observed change of ZnTe energy gap can be as large as 120 meV with respect to the unstrained conditions and can be tuned in a continuous manner by adjusting shell parameters, which open a path towards an effective band gap engineering in these structures.

Keywords:

Nanowires, II-VI semiconductors, Magnesium, Band gap, Quantum effects

Affiliations:
Wojnar P.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Zieliński M.-other affiliation
Janik E.-other affiliation
Zaleszczyk W.-other affiliation
Wojciechowski T.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Wojnar R.-IPPT PAN
Szymura M.-other affiliation
Kłopotowski Ł.-other affiliation
Baczewski L.T.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Pietruchik A.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Wiater M.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Kret S.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Karczewski G.-other affiliation
Wojtowicz T.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)
Kossut J.-Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL)