| Partner: M. Bilska |
Abstrakty konferencyjne
| 1. | Kret S.♦, Bilska M.♦, Ivaldi F.♦, Leszczyński M.♦, Czernecki R.♦, Dłużewski P., Jurczak G., Young T.D., Determination of the nanoscale structural properties of the InAlN based devices by advanced TEM methods, E-MRS 2012 FALL MEETING, 2012-09-17/09-21, Warszawa (PL), pp.1, 2012 Słowa kluczowe: III-V semiconductors, piezoelectricity, high resolution transmission electron microscopy, band edge structure Afiliacje autorów:
|  |